HGTP7N60A4 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP7N60A4

HGTP7N60A4

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Artikelnummer	HGTP7N60A4
LIXINC Part #	HGTP7N60A4
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 34A TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HGTP7N60A4 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HGTP7N60A4 Spezifikationen

Artikelnummer:	HGTP7N60A4
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Last Time Buy
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	34 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	56 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 7A
Leistung max:	125 W
Schaltenergie:	55µJ (on), 60µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	37 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	11ns/100ns
Testbedingung:	390V, 7A, 25Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3