IKW40N65ES5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKW40N65ES5XKSA1 | IKW40N65ES5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKW40N65ES5XKSA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IKW40N65ES5XKSA1
LIXINC Part #	IKW40N65ES5XKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IKW40N65ES5XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IKW40N65ES5XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IKW40N65ES5XKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	TrenchStop™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	79 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.7V @ 15V, 40A
Leistung max:	230 W
Schaltenergie:	860µJ (on), 400µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	95 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	19ns/130ns
Testbedingung:	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	73 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-3