APT35GP120B2D2G | Roving Networks / Microchip Technology APT35GP120B2D2G

APT35GP120B2D2G

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Artikelnummer	APT35GP120B2D2G
LIXINC Part #	APT35GP120B2D2G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APT35GP120B2D2G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

APT35GP120B2D2G Spezifikationen

Artikelnummer:	APT35GP120B2D2G
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	POWER MOS 7®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	96 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	140 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 35A
Leistung max:	540 W
Schaltenergie:	1mJ (on), 1.185mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	150 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	14ns, 99ns
Testbedingung:	800V, 35A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	85 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant
Gerätepaket des Lieferanten:	T-MAX™ [B2]

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