IXBX75N170A | Wickmann / Littelfuse IXBX75N170A | IXBX75N170A Inventory, Best Pricing

IXBX75N170A

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Artikelnummer	IXBX75N170A
LIXINC Part #	IXBX75N170A
Hersteller	Wickmann / Littelfuse
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IXBX75N170A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IXBX75N170A Spezifikationen

Artikelnummer:	IXBX75N170A
Marke:	Wickmann / Littelfuse
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Wickmann / Littelfuse
Serie:	BIMOSFET™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1700 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	110 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	300 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	6V @ 15V, 42A
Leistung max:	1040 W
Schaltenergie:	3.8mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	358 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	26ns/418ns
Testbedingung:	1360V, 42A, 1Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	360 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PLUS247™-3

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