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IRGP6630D-EPBF

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Artikelnummer	IRGP6630D-EPBF
LIXINC Part #	IRGP6630D-EPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT WITH RECOVERY DIODE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRGP6630D-EPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRGP6630D-EPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRGP6630D-EPBF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	47 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	54 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 18A
Leistung max:	192 W
Schaltenergie:	75µJ (on), 350µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	30 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	40ns/95ns
Testbedingung:	400V, 18A, 22Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	70 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247AD

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