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NGTB15N120LWG

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Artikelnummer	NGTB15N120LWG
LIXINC Part #	NGTB15N120LWG
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NGTB15N120LWG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 11 - Aug 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NGTB15N120LWG Spezifikationen

Artikelnummer:	NGTB15N120LWG
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.2 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 15A
Leistung max:	229 W
Schaltenergie:	2.1mJ (on), 560µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	160 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	72ns/165ns
Testbedingung:	600V, 15A, 15Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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