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STGB3NB60FDT4

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Artikelnummer	STGB3NB60FDT4
LIXINC Part #	STGB3NB60FDT4
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 6A 68W D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STGB3NB60FDT4 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 11 - Aug 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STGB3NB60FDT4 Spezifikationen

Artikelnummer:	STGB3NB60FDT4
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	PowerMESH™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	6 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	24 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 3A
Leistung max:	68 W
Schaltenergie:	125µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	16 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	12.5ns/105ns
Testbedingung:	480V, 3A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	45 ns
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK