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IKB20N60H3ATMA1

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Artikelnummer	IKB20N60H3ATMA1
LIXINC Part #	IKB20N60H3ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 40A 170W TO263-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IKB20N60H3ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 12 - Aug 16 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IKB20N60H3ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IKB20N60H3ATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	TrenchStop®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	40 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 20A
Leistung max:	170 W
Schaltenergie:	690µJ
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	120 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	16ns/194ns
Testbedingung:	400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	112 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK (TO-263AB)