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Artikelnummer | FGD3N60UNDF |
LIXINC Part # | FGD3N60UNDF |
Hersteller | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln |
Beschreibung | IGBT 600V 6A 60W DPAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | FGD3N60UNDF PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Aug 12 - Aug 16 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | FGD3N60UNDF |
Marke: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - einzeln |
Hersteller: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
igbt-Typ: | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 600 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 6 A |
Strom - Kollektor gepulst (icm): | 9 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.52V @ 15V, 3A |
Leistung max: | 60 W |
Schaltenergie: | 52µJ (on), 30µJ (off) |
Eingabetyp: | Standard |
Gate-Gebühr: | 1.6 nC |
td (ein/aus) bei 25 °c: | 5.5ns/22ns |
Testbedingung: | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
Rückwärtserholzeit (trr): | 21 ns |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-252, (D-Pak) |
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Auf Lager | 13693 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.06000 | $1.06 |
2500 | $0.47190 | $1179.75 |
5000 | $0.45073 | $2253.65 |
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