DGTD65T60S2PT | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DGTD65T60S2PT

DGTD65T60S2PT

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Artikelnummer	DGTD65T60S2PT
LIXINC Part #	DGTD65T60S2PT
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DGTD65T60S2PT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DGTD65T60S2PT Spezifikationen

Artikelnummer:	DGTD65T60S2PT
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	180 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 60A
Leistung max:	428 W
Schaltenergie:	920µJ (on), 530µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	95 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	42ns/142ns
Testbedingung:	400V, 60A, 7Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	205 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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