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NGTB30N135IHRWG

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Artikelnummer	NGTB30N135IHRWG
LIXINC Part #	NGTB30N135IHRWG
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NGTB30N135IHRWG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NGTB30N135IHRWG Spezifikationen

Artikelnummer:	NGTB30N135IHRWG
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.35 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.65V @ 15V, 30A
Leistung max:	394 W
Schaltenergie:	850µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	234 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-/250ns
Testbedingung:	600V, 30A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247