FDMA86251 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA86251

FDMA86251

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FDMA86251
LIXINC Part #	FDMA86251
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDMA86251 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 24 - Sep 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FDMA86251 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDMA86251
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	150 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.4A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	363 pF @ 75 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.4W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	6-MicroFET (2x2)
Paket / Koffer:	6-WDFN Exposed Pad