IRFH8337TRPBF | Rochester Electronics IRFH8337TRPBF | IRFH8337TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH8337TRPBF

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRFH8337TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8337TRPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFH8337TRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 24 - Sep 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRFH8337TRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFH8337TRPBF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	HEXFET®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	12.8mOhm @ 16.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	790 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.2W (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PQFN (5x6)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN