Nur als Referenz
Artikelnummer | CSD19503KCS |
LIXINC Part # | CSD19503KCS |
Hersteller | Texas Instruments |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | CSD19503KCS PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 30 - Jul 04 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | CSD19503KCS |
Marke: | Texas Instruments |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Texas Instruments |
Serie: | NexFET™ |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 80 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 100A (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 6V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 9.2mOhm @ 60A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 2730 pF @ 40 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 188W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-220-3 |
Paket / Koffer: | TO-220-3 |
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Auf Lager | 12462 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.81000 | $1.81 |
10 | $1.63570 | $16.357 |
50 | $1.46096 | $73.048 |
100 | $1.31482 | $131.482 |
500 | $1.02261 | $511.305 |
1000 | $0.84730 | $847.3 |
2500 | $0.81808 | $2045.2 |
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