FDU8882 | Rochester Electronics FDU8882 | FDU8882 Inventory, Best Pricing

FDU8882

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FDU8882
LIXINC Part #	FDU8882
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 12.6A/55A IPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDU8882 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 30 - Jul 04 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FDU8882 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDU8882
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12.6A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	11.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.26 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	55W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I-PAK
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA