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NDH832P

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Artikelnummer	NDH832P
LIXINC Part #	NDH832P
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NDH832P PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 30 - Jul 04 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NDH832P Spezifikationen

Artikelnummer:	NDH832P
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.2A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.7V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SuperSOT™-8
Paket / Koffer:	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)