TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8115(TE12L,Q,M) | TPC8115(TE12L,Q,M) Inventory, Best Pricing

TPC8115(TE12L,Q,M)

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Artikelnummer	TPC8115(TE12L,Q,M)
LIXINC Part #	TPC8115(TE12L,Q,M)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TPC8115(TE12L,Q,M) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TPC8115(TE12L,Q,M) Spezifikationen

Artikelnummer:	TPC8115(TE12L,Q,M)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSIV
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.8V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	115 nC @ 5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9130 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOP (5.5x6.0)
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)