IRF7665S2TR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7665S2TR1PBF | IRF7665S2TR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF7665S2TR1PBF

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Artikelnummer	IRF7665S2TR1PBF
LIXINC Part #	IRF7665S2TR1PBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF7665S2TR1PBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF7665S2TR1PBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF7665S2TR1PBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	515 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.4W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DIRECTFET SB
Paket / Koffer:	DirectFET™ Isometric SB