SSM3J307T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J307T(TE85L,F) | SSM3J307T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3J307T(TE85L,F)

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Artikelnummer	SSM3J307T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3J307T(TE85L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM3J307T(TE85L,F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SSM3J307T(TE85L,F) Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM3J307T(TE85L,F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSV
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1170 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	700mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TSM
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3