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IRFHM830DTRPBF

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Artikelnummer	IRFHM830DTRPBF
LIXINC Part #	IRFHM830DTRPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFHM830DTRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRFHM830DTRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFHM830DTRPBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	27 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1797 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PQFN (3x3)
Paket / Koffer:	8-VQFN Exposed Pad