IPSA70R1K4P7SAKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPSA70R1K4P7SAKMA1 | IPSA70R1K4P7SAKMA1 Inventory, Best Pricing

IPSA70R1K4P7SAKMA1

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Artikelnummer	IPSA70R1K4P7SAKMA1
LIXINC Part #	IPSA70R1K4P7SAKMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPSA70R1K4P7SAKMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPSA70R1K4P7SAKMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolMOS™ P7
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	700 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.7 nC @ 400 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	158 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	22.7W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO251-3
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA