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N0412N-S19-AY

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Artikelnummer	N0412N-S19-AY
LIXINC Part #	N0412N-S19-AY
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	N0412N-S19-AY PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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N0412N-S19-AY Spezifikationen

Artikelnummer:	N0412N-S19-AY
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5550 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.5W (Ta), 119W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220
Paket / Koffer:	TO-220-3