NP180N055TUK-E1-AY

NP180N055TUK-E1-AY
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Artikelnummer NP180N055TUK-E1-AY
LIXINC Part # NP180N055TUK-E1-AY
Hersteller Renesas Electronics America
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle NP180N055TUK-E1-AY PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NP180N055TUK-E1-AY Spezifikationen

Artikelnummer:NP180N055TUK-E1-AY
Marke:Renesas Electronics America
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Renesas Electronics America
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:180A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:294 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:16050 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):1.8W (Ta), 348W (Tc)
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-7
Paket / Koffer:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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