IRFP064NPBF

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Artikelnummer IRFP064NPBF
LIXINC Part # IRFP064NPBF
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IRFP064NPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRFP064NPBF Spezifikationen

Artikelnummer:IRFP064NPBF
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:HEXFET®
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:110A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:8mOhm @ 59A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4000 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):200W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AC
Paket / Koffer:TO-247-3

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