APT35GP120B2DQ2G | Roving Networks / Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

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Artikelnummer	APT35GP120B2DQ2G
LIXINC Part #	APT35GP120B2DQ2G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APT35GP120B2DQ2G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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APT35GP120B2DQ2G Spezifikationen

Artikelnummer:	APT35GP120B2DQ2G
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	POWER MOS 7®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	96 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	140 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 35A
Leistung max:	543 W
Schaltenergie:	750µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	150 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	16ns/95ns
Testbedingung:	600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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