IGB50N65S5ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IGB50N65S5ATMA1 | IGB50N65S5ATMA1 Inventory, Best Pricing

IGB50N65S5ATMA1

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Artikelnummer	IGB50N65S5ATMA1
LIXINC Part #	IGB50N65S5ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IGB50N65S5ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IGB50N65S5ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IGB50N65S5ATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	TrenchStop™ 5
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.7V @ 15V, 50A
Leistung max:	270 W
Schaltenergie:	1.23mJ (on), 740µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	120 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	20ns/139ns
Testbedingung:	400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO263-3

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