NGTB20N120IHRWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTB20N120IHRWG

NGTB20N120IHRWG

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Artikelnummer	NGTB20N120IHRWG
LIXINC Part #	NGTB20N120IHRWG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NGTB20N120IHRWG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NGTB20N120IHRWG Spezifikationen

Artikelnummer:	NGTB20N120IHRWG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	40 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 20A
Leistung max:	384 W
Schaltenergie:	450µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	225 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-/235ns
Testbedingung:	600V, 20A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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