HGTG20N60B3D

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Artikelnummer HGTG20N60B3D
LIXINC Part # HGTG20N60B3D
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - einzeln
Beschreibung IGBT 600V 40A 165W TO247
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle HGTG20N60B3D PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HGTG20N60B3D Spezifikationen

Artikelnummer:HGTG20N60B3D
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Not For New Designs
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):40 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 20A
Leistung max:165 W
Schaltenergie:475µJ (on), 1.05mJ (off)
Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:80 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:-
Testbedingung:-
Rückwärtserholzeit (trr):55 ns
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3

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