DMN3018SFGQ-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

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Artikelnummer	DMN3018SFGQ-7
LIXINC Part #	DMN3018SFGQ-7
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMN3018SFGQ-7 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 01 - Jul 05 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DMN3018SFGQ-7 Spezifikationen

Artikelnummer:	DMN3018SFGQ-7
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8.5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	13.2 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	697 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerDI3333-8
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN