IPW65R190E6FKSA1 | Rochester Electronics IPW65R190E6FKSA1 | IPW65R190E6FKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW65R190E6FKSA1

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Artikelnummer	IPW65R190E6FKSA1
LIXINC Part #	IPW65R190E6FKSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPW65R190E6FKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPW65R190E6FKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPW65R190E6FKSA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	CoolMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 730µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.62 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	151W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3