NVMFS5H663NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS5H663NLT1G

NVMFS5H663NLT1G

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	NVMFS5H663NLT1G
LIXINC Part #	NVMFS5H663NLT1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMFS5H663NLT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

NVMFS5H663NLT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMFS5H663NLT1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	16.2A (Ta), 67A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 56µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1131 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.7W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN, 5 Leads