NTRV4101PT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTRV4101PT1G

NTRV4101PT1G

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Artikelnummer	NTRV4101PT1G
LIXINC Part #	NTRV4101PT1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTRV4101PT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTRV4101PT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NTRV4101PT1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.8V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	8.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	675 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	420mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3