UPA2690T1R-E2-AX | Renesas Electronics America UPA2690T1R-E2-AX | UPA2690T1R-E2-AX Inventory, Best Pricing

UPA2690T1R-E2-AX

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Artikelnummer	UPA2690T1R-E2-AX
LIXINC Part #	UPA2690T1R-E2-AX
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	UPA2690T1R-E2-AX PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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UPA2690T1R-E2-AX Spezifikationen

Artikelnummer:	UPA2690T1R-E2-AX
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N and P-Channel Complementary
fet-Funktion:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A, 3A
rds auf (max) @ id, vgs:	42mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	330pF @ 10V
Leistung max:	2.3W
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	6-HUSON (2x2)

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