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2SJ662-DL-E

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Artikelnummer	2SJ662-DL-E
LIXINC Part #	2SJ662-DL-E
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	P-CHANNEL SILICON MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SJ662-DL-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SJ662-DL-E Spezifikationen

Artikelnummer:	2SJ662-DL-E
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	-
fet-Funktion:	-
Drain-Source-Spannung (vdss):	-
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	-
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

FS10KM-06-AV#B01	HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL	49666 Mehr auf Bestellung
RFP40N10S5001	40A, 100V, 0.04OHM, N CHANNEL, M	1651 Mehr auf Bestellung
PMN27XPEA,115	4.4A, 20V, 6-ELEMENT, P CHANNEL,	4928 Mehr auf Bestellung
FCI17N60	N-CHANNEL POWER MOSFET	983 Mehr auf Bestellung
PMV30XPEA,215	4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M	949 Mehr auf Bestellung
RJK0222DNS-00#J5	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	340812 Mehr auf Bestellung
IRF640S2470	18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,	5299 Mehr auf Bestellung
RF1S640	18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL	4794 Mehr auf Bestellung
BSM600D12P3G001	1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S	990 Mehr auf Bestellung
APTC60DDAM45T1G	MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1	969 Mehr auf Bestellung
DMN3035LWN-13	MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8	845 Mehr auf Bestellung
FW256-TL-E	N-CHANNEL SILICON MOSFET	3987 Mehr auf Bestellung
TM3055-TL-E	N-CHANNEL MOSFET	112964 Mehr auf Bestellung

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