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FCI17N60

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Artikelnummer	FCI17N60
LIXINC Part #	FCI17N60
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FCI17N60 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FCI17N60 Spezifikationen

Artikelnummer:	FCI17N60
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	-
fet-Funktion:	-
Drain-Source-Spannung (vdss):	-
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	-
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

PMV30XPEA,215	4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M	847 Mehr auf Bestellung
RJK0222DNS-00#J5	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	340971 Mehr auf Bestellung
IRF640S2470	18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,	5383 Mehr auf Bestellung
RF1S640	18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL	4821 Mehr auf Bestellung
BSM600D12P3G001	1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S	836 Mehr auf Bestellung
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NTMFD2D4N03P8	MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN	825 Mehr auf Bestellung

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