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RJK0222DNS-00#J5

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Artikelnummer	RJK0222DNS-00#J5
LIXINC Part #	RJK0222DNS-00#J5
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJK0222DNS-00#J5 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RJK0222DNS-00#J5 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJK0222DNS-00#J5
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (vdss):	25V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	14A, 16A
rds auf (max) @ id, vgs:	9.2mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	810pF @ 10V
Leistung max:	8W, 10W
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN (5x6)

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.06000	$1.06

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