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Artikelnummer | DTC123JUBTL |
LIXINC Part # | DTC123JUBTL |
Hersteller | ROHM Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt |
Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | DTC123JUBTL PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | DTC123JUBTL |
Marke: | ROHM Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt |
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Not For New Designs |
Transistortyp: | NPN - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 100 mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50 V |
Widerstand - Basis (r1): | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitter Basis (r2): | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce: | 80 @ 10mA, 5V |
vce Sättigung (max) @ ib, ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max): | 500nA |
Frequenz - Übergang: | 250 MHz |
Leistung max: | 200 mW |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | SC-85 |
Gerätepaket des Lieferanten: | UMT3F |
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Auf Lager | 10919 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.20000 | $0.2 |
3000 | $0.03315 | $99.45 |
6000 | $0.02990 | $179.4 |
15000 | $0.02600 | $390 |
30000 | $0.02340 | $702 |
75000 | $0.02080 | $1560 |
150000 | $0.01820 | $2730 |
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