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DTC123JUBTL

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Artikelnummer	DTC123JUBTL
LIXINC Part #	DTC123JUBTL
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DTC123JUBTL PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DTC123JUBTL Spezifikationen

Artikelnummer:	DTC123JUBTL
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	2.2 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	250 MHz
Leistung max:	200 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-85
Gerätepaket des Lieferanten:	UMT3F

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