Nur als Referenz
Artikelnummer | RN1421TE85LF |
LIXINC Part # | RN1421TE85LF |
Hersteller | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt |
Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | RN1421TE85LF PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | RN1421TE85LF |
Marke: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt |
Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus: | Active |
Transistortyp: | NPN - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 800 mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50 V |
Widerstand - Basis (r1): | 1 kOhms |
Widerstand - Emitter Basis (r2): | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce: | 60 @ 100mA, 1V |
vce Sättigung (max) @ ib, ic: | 250mV @ 2mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max): | 500nA |
Frequenz - Übergang: | 300 MHz |
Leistung max: | 200 mW |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gerätepaket des Lieferanten: | S-Mini |
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Auf Lager | 10819 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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3000 | $0.09540 | $286.2 |
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