DDTD123EU-7-F | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DDTD123EU-7-F

DDTD123EU-7-F

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Artikelnummer	DDTD123EU-7-F
LIXINC Part #	DDTD123EU-7-F
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DDTD123EU-7-F PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DDTD123EU-7-F Spezifikationen

Artikelnummer:	DDTD123EU-7-F
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	2.2 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	39 @ 50mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	200 MHz
Leistung max:	200 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-323

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