RJH60A83RDPN-E0#T2 | Renesas Electronics America RJH60A83RDPN-E0#T2 | RJH60A83RDPN-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJH60A83RDPN-E0#T2

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Artikelnummer	RJH60A83RDPN-E0#T2
LIXINC Part #	RJH60A83RDPN-E0#T2
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 20A TO-220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJH60A83RDPN-E0#T2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RJH60A83RDPN-E0#T2 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJH60A83RDPN-E0#T2
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	20 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
Leistung max:	-
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	-
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	150 ns
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB

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