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STGWF30NC60S

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Artikelnummer	STGWF30NC60S
LIXINC Part #	STGWF30NC60S
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 35A 79W TO3P
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STGWF30NC60S PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STGWF30NC60S Spezifikationen

Artikelnummer:	STGWF30NC60S
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	PowerMESH™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	35 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	150 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 20A
Leistung max:	79 W
Schaltenergie:	300µJ (on), 1.28mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	96 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	21.5ns/180ns
Testbedingung:	480V, 20A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P

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