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Artikelnummer | APT75GN60BDQ2G |
LIXINC Part # | APT75GN60BDQ2G |
Hersteller | Roving Networks / Microchip Technology |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln |
Beschreibung | IGBT FIELDSTOP SINGLE 600V 75A T |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | APT75GN60BDQ2G PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | APT75GN60BDQ2G |
Marke: | Roving Networks / Microchip Technology |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - einzeln |
Hersteller: | Roving Networks / Microchip Technology |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
igbt-Typ: | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 600 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 155 A |
Strom - Kollektor gepulst (icm): | 225 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 1.85V @ 15V, 75A |
Leistung max: | 536 W |
Schaltenergie: | 2.5mJ (on), 2.14mJ (off) |
Eingabetyp: | Standard |
Gate-Gebühr: | 485 nC |
td (ein/aus) bei 25 °c: | 47ns/385ns |
Testbedingung: | 400V, 75A, 1Ohm, 15V |
Rückwärtserholzeit (trr): | 25 ns |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Paket / Koffer: | TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-247 |
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Auf Lager | 11102 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.51000 | $7.51 |
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