IRG8P50N120KD-EPBF | Rochester Electronics IRG8P50N120KD-EPBF | IRG8P50N120KD-EPBF Inventory, Best Pricing

IRG8P50N120KD-EPBF

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Artikelnummer	IRG8P50N120KD-EPBF
LIXINC Part #	IRG8P50N120KD-EPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IRG8P50N120 - DISCRETE IGBT WITH
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRG8P50N120KD-EPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRG8P50N120KD-EPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRG8P50N120KD-EPBF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.2 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	105 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 35A
Leistung max:	350 W
Schaltenergie:	2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	315 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	35ns/190ns
Testbedingung:	600V, 35A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	170 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247AD

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