FGH25N120FTDS | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGH25N120FTDS

FGH25N120FTDS

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Artikelnummer	FGH25N120FTDS
LIXINC Part #	FGH25N120FTDS
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1200V 50A 313W TO247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGH25N120FTDS PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FGH25N120FTDS Spezifikationen

Artikelnummer:	FGH25N120FTDS
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	*
Paket:	TubeTube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 25A
Leistung max:	313 W
Schaltenergie:	1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	169 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	26ns/151ns
Testbedingung:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	535 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3

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