FGA60N65SMD | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA60N65SMD

FGA60N65SMD

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Artikelnummer	FGA60N65SMD
LIXINC Part #	FGA60N65SMD
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGA60N65SMD PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FGA60N65SMD Spezifikationen

Artikelnummer:	FGA60N65SMD
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	120 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	180 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 60A
Leistung max:	600 W
Schaltenergie:	1.54mJ (on), 450µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	189 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	18ns/104ns
Testbedingung:	400V, 60A, 3Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	47 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P

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