IKP10N60TXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKP10N60TXKSA1 | IKP10N60TXKSA1 Inventory, Best Pricing

IKP10N60TXKSA1

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Artikelnummer	IKP10N60TXKSA1
LIXINC Part #	IKP10N60TXKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 20A 110W TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IKP10N60TXKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

IKP10N60TXKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IKP10N60TXKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	TrenchStop®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT, Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	20 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	30 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.05V @ 15V, 10A
Leistung max:	110 W
Schaltenergie:	430µJ
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	62 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	12ns/215ns
Testbedingung:	400V, 10A, 23Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	115 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220-3

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