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Artikelnummer | STGP4M65DF2 |
LIXINC Part # | STGP4M65DF2 |
Hersteller | STMicroelectronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln |
Beschreibung | IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | STGP4M65DF2 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | STGP4M65DF2 |
Marke: | STMicroelectronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - einzeln |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Serie: | M |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
igbt-Typ: | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 8 A |
Strom - Kollektor gepulst (icm): | 16 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
Leistung max: | 68 W |
Schaltenergie: | 40µJ (on), 136µJ (off) |
Eingabetyp: | Standard |
Gate-Gebühr: | 15.2 nC |
td (ein/aus) bei 25 °c: | 12ns/86ns |
Testbedingung: | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
Rückwärtserholzeit (trr): | 133 ns |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Paket / Koffer: | TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-220AB |
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Auf Lager | 10928 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.91000 | $0.91 |
50 | $0.77784 | $38.892 |
100 | $0.64736 | $64.736 |
500 | $0.54298 | $271.49 |
1000 | $0.43860 | $438.6 |
2500 | $0.41251 | $1031.275 |
5000 | $0.39512 | $1975.6 |
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