STGP4M65DF2

STGP4M65DF2
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Artikelnummer STGP4M65DF2
LIXINC Part # STGP4M65DF2
Hersteller STMicroelectronics
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - einzeln
Beschreibung IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle STGP4M65DF2 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STGP4M65DF2 Spezifikationen

Artikelnummer:STGP4M65DF2
Marke:STMicroelectronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:STMicroelectronics
Serie:M
Paket:Tube
Teilstatus:Active
igbt-Typ:Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):8 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):16 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
Leistung max:68 W
Schaltenergie:40µJ (on), 136µJ (off)
Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:15.2 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:12ns/86ns
Testbedingung:400V, 4A, 47Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):133 ns
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB

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