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RGS50TSX2DHRC11

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Artikelnummer	RGS50TSX2DHRC11
LIXINC Part #	RGS50TSX2DHRC11
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RGS50TSX2DHRC11 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

RGS50TSX2DHRC11 Spezifikationen

Artikelnummer:	RGS50TSX2DHRC11
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 25A
Leistung max:	395 W
Schaltenergie:	1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	67 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	37ns/140ns
Testbedingung:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	182 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247N

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