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STGF10NB60SD

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Artikelnummer	STGF10NB60SD
LIXINC Part #	STGF10NB60SD
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 23A 25W TO220FP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STGF10NB60SD PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STGF10NB60SD Spezifikationen

Artikelnummer:	STGF10NB60SD
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	PowerMESH™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	23 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.75V @ 15V, 10A
Leistung max:	25 W
Schaltenergie:	600µJ (on), 5mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	33 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	700ns/1.2µs
Testbedingung:	480V, 10A, 1kOhm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	37 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220FP